Grabado en los semiconductores es el proceso de eliminación de material no deseado de la superficie . Este proceso se emplea ampliamente en el desarrollo de placas de semiconductores basados ​​en circuitos impresos (PCB ) y las tarjetas de diferentes dispositivos electrónicos . Además, este proceso también se utiliza para lograr ciertos cambios físicos y químicos en los materiales semiconductores , de modo que se convierten en operables en las temperaturas y voltajes deseados . Semiconductor grabado en los niveles de industriales se lleva a cabo mediante tres métodos diferentes , que son de plasma , grabado húmedo y la orientación - dependiente. Plasma Grabado

grabado de plasma implica sumergir semiconductores boards /obleas en un estado reactivo de flúor o cloro gaseoso . Este estado reactivo de estos gases se conoce como el estado de plasma , que se obtiene a través de la introducción de las ondas electromagnéticas concentradas en sus respectivos estados gaseosos . Aguafuerte de plasma proporciona la duplicación efectiva de partículas de plasma sobre la superficie de obleas de semiconductores , que a su vez modifican sus propiedades físicas y químicas . Todo este proceso se realiza a temperatura ambiente normal a través de equipo especializado llamado grabadores de plasma.
Wet Etching

grabado húmedo implica la utilización de productos químicos líquidos reactivos para grabar la superficie del semiconductor materiales . Se emplea la eliminación de los materiales no deseados de la superficie de una manera selectiva o controlada , que permite que el proceso de grabado para ser llevado a cabo de una manera modelada . Grabado húmedo en chips semiconductores se realiza generalmente a través de ácido fluorhídrico tamponado o fluoruro de amonio , que se encuentran isotrópico y compuestos cohesiva de reacción . Por otra parte , este tipo de ataque químico produce una cantidad sustancial de desechos tóxicos durante el proceso ; . , Y por esta razón , no se usa en el grabado de los chips semiconductores complejos y obleas
Orientación - dependiente grabado

grabado Orientación dependiente es un tipo de ataque en húmedo que se lleva a cabo de manera anisótropa . El término " anisótropa " se refiere a las propiedades químicas de las variaciones y los cambios bruscos en características de la sustancia . Por esta razón , grabado orientación dependiente de lleva a cabo el proceso de eliminación de material de una manera desigual de las superficies de semiconductores . Este tipo de ataque se llama también grabado húmedo anisotrópico , y se realiza generalmente a través de compuestos como el hidróxido de potasio, hidróxido de tetrametilamonio y etilendiamina pirocatecol .
Significado

diferentes tipos y métodos de grabado proporcionar transformaciones significativas dentro de ciertas propiedades físicas y químicas de los materiales semiconductores . Por ejemplo , ataque químico se conoce comúnmente para producir cambios significativos en el color , peso , volumen, estados físicos y los niveles de resistencia térmica de los materiales semiconductores . Estas transformaciones y los cambios ayudan a los semiconductores para aumentar sus niveles de conductividad de las cargas eléctricas deseadas en los dispositivos electrónicos y equipo diverso .