Transistores contienen material semiconductor para amplificar y conmutar señales electrónicas. Transistores de unión bipolares Los primeros fueron creados con germanio como el único material semiconductor . Finalmente , el silicio se convirtió en el material de elección desde el silicio era capaz de funcionar mejor que el germanio en cada función del transistor realizado. Por lo tanto , sólo hay unos pocos transistores producidos hoy en día que contienen germanio. Especificaciones básicas
germanio transistores tienen una ganancia de corriente que van 50 a 300 junto con una disipación de potencia máxima ( Pt ) de hasta 6 vatios . Sin embargo , los transistores de germanio también filtran unos microamperios de corriente . La frecuencia de funcionamiento más alta de transistores de germanio es unos pocos MHz . Por lo tanto, no se utiliza generalmente por encima de las frecuencias de gama de audio . Por último , transistores de germanio tienen una tensión máxima de colector-emisor en el rango de un par de decenas de voltios . Todas estas especificaciones se consideraron significativos durante las primeras etapas de la producción de transistor . Sin embargo , los transistores de silicio ya superar los transistores de germanio en cada categoría individual.
Temperatura Estabilidad
germanio transistores no tienen estabilidad de temperatura mucho más . En altas temperaturas , la fiabilidad de los transistores de germanio disminuye significativamente . Los cálidos estos transistores de germanio hago, más actual que pasan. Por lo tanto , la cantidad del total filtró actual , también llamado embalamiento térmico , aumenta cuando el transistor alcanza temperaturas más altas . Esta fuga térmica puede destruir el transistor si el circuito no está diseñado para manejar la situación. Esta inestabilidad de la temperatura ha sido , en algunos casos , beneficioso . Esto es debido a la utilización de transistores de germanio como sensores de temperatura principalmente . La corriente que pasa es aproximadamente proporcional a la temperatura del transistor.
Aleación Transistores difuso
La mayoría de los transistores de germanio son de la clasificación difusa aleación. Esto significa gránulos de indio se fusionan a ambos lados de una base de germanio para crear el transistor . El proceso de fusión causa que los átomos de indio para mezclar con los átomos de germanio puro , la creación de una pequeña sección de material donde aparecen los átomos de indio que falta un electrón y sólo tienen tres enlaces . El resultado es una capa delgada de germanio base entre dos bolitas de indio . Las uniones entre los dos materiales se designan las uniones base /emisor y la base /colector , con germanio siendo la base en ambos casos . La unión base /colector puede ser fácilmente identificado como la mayor de las dos uniones . Esto se debe a que la mayor parte del calor generado en el transistor está en este cruce y un área más grande permite que el exceso de calor se disipe.
